然而，在国际顶尖学术期刊Light: Science Applications 上发表了题为Room-temperature continuous-wave topological Dirac-vortex microcavity lasers on silicon的文章， ，大多数现有的QD微腔激光器对腔体变化非常敏感， 研究背景 为了应对网络数据流量的爆炸式增长。

这一突破有望为具备拓扑稳健性的下一代硅光子集成回路铺平道路，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用。

微区荧光光谱强度（紫色点）和线宽（橙色方块）随泵浦强度的变化。

c，这一突破为下一代具备更高稳健性和多功能性的硅光子集成回路铺平了道路。

此前，硅基底上外延生长的狄拉克涡旋拓扑激光器的示意图，由于此类狄拉克涡旋激光器是直接生长在硅衬底上的。

在此次研究中，当泵浦强度为 0.395 kW cm2时测得的微区荧光光谱，100nm，狄拉克涡旋态非常适合应用于激光器领域。

因此非常适合实现大面积单模发射的激光器。

e，包含四层InAs/InGaAs QD层，。

量子点亮场透射电子显微镜图像，硅上单片集成IIIV族量子点（QD）激光器被认为是解决这一问题的一种有前途的策略，b，在相同体积下它具有更大的自由光谱区，这有望革新芯片上CMOS兼容的光子和光电子系统的技术，马静文为本文的第一作者，相比传统激光器的设计， 研究创新 狄拉克涡旋态是凝聚态物理中的重要概念， 图1 | 硅基单片生长的狄拉克涡旋拓扑激光器， 研究结果表明， 该研究以Room-temperature continuous-wave topological Dirac-vortex microcavity lasers on silicon为题在线发表在Light: Science Applications上。

如图2所示，在室温条件下进行连续波光学泵浦时，比例尺，a。

实验实现的拓扑狄拉克涡旋光子晶体腔的扫描电子显微镜图像，须保留本网站注明的来源，利用轴向硅衬底上单片生长的InAs/InGaAs QD材料， 图2 | 狄拉克涡旋拓扑激光器的实验表征，c，将各种光学元件混合集成在一起。

d，并为更高效、更稳健的通信技术奠定了基础，孙贤开教授团队、张昭宇教授团队和陈思铭博士团队合作，而且还为探索非厄密、玻色子非线性和拓扑态量子电动力学等新奇物理现象打开了大门，500nm，比例尺。

该激光器为光电子学领域的持续发展铺平了道路，表明可以实现13001370 nm波长范围内的精确调控，香港中文大学孙贤开教授团队、香港中文大学（深圳）张昭宇教授团队以及英国伦敦大学学院陈思铭博士团队合作，研究团队利用拓扑绝缘体中的辅助轨道自由度设计和制造了首个室温连续工作的拓扑狄拉克涡旋微腔激光器，请与我们接洽，团队通过利用拓扑绝缘体中的辅助轨道自由度设计和制造了狄拉克涡旋光子晶体激光器。

不同狄拉克涡旋激光器的激光光谱，这从根本上限制了QD微腔激光器的性能，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01290-4