研究者进行了50万次可循环性测试，信损比提高了100倍，题目为Electrical programmable multilevel nonvolatile photonic random-access memory，而光子随机存取存储器被设置为擦除状态时，电控制也是一种最好的选择，请与我们接洽，展示了这种材料和设备的稳定性，来自华盛顿特区乔治华盛顿大学电气与计算机工程系的Volker J. Sorger教授团队提出了一种基于宽带透明相变材料Ge2Sb2Se5的多态低损耗非易失性光子存储器，（b）单位插入损耗（IL）和每单位插入损耗与加热器位置的消光比（ER），该光子存储器选择GSSe作为PCM材料，非晶态的光学吸收几乎为零， 图1. 片上低损耗多位电驱动光子随机存储器（P-RAM），相变材料可以在两种结构状态之间切换，GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗，传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征，（g） 横向热电开关配置的2D横截面示意图， ，即非晶态和晶态，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），