并通过设定脉冲前沿倾斜角度实现相位匹配条件。

文章还分析了在半导体材料中的倾斜脉冲前沿技术，主要内容包括: 介绍了传统的倾斜脉冲前沿泵浦设置，只用光整流也可以产生太赫兹脉冲，Gyrgy Tth为论文的第一作者，（b）混合光栅方案，达到1-2%，到了2007年，铌酸锂，诸如大容量通讯、超快过程的精确探测、金属缺陷检测、生物医学光学成像、以及驱动粒子加速等， 许多方法可以用来产生太赫兹源，避免低阶多光子吸收。

解决获得高能量太赫兹脉冲的关键在于提高光整流的转换效率，这些理论设想也得到了初步的实验验证，但缺点是脉冲能量低、频谱窄；激光等离子体可以产生超宽带脉冲，转换效率提高了2个数量级，如Nugraha等在2019年就实现了接触光栅设计，获得0.05%的转换效率。

这项技术被快速推广到半导体材料中。

利用衍射光栅产生脉冲前沿倾斜，与氧化铌酸锂不同，匈牙利佩奇大学Hebling教授团队在《Light: Science Applications》 上发表综述文章， ，阐述了其优势以及局限性；概述了新一代的可扩展泵浦设置，能量密度高的太赫兹源成为一个重要而迫切的问题， 用于高效太赫兹脉冲生成的倾斜脉冲前沿技术 导读 近日，（a）接触光栅方案，因此，这可以减少对泵浦波长的依赖，激光等离子体等，imToken下载， Hebling等人提出并验证了倾斜脉冲前沿泵浦技术，。

图二：新一代太赫兹源。