由于所产生的静电场Edc与MSN半导体纳米结构的三阶极化率(3)相互作用对有效二阶极化率(2)eff有调制作用。

感应电场在半导体的体积上是不均匀的，这种具有双重光电功能的纳米天线对于未来的纳米光子处理器至关重要，不仅SHG的强度得到了增强（图2d），研究人员还引入漂移-扩散模型展示了不同金属功函数、半导体表面缺陷密度以及金属-半导体界面构型如何影响该场的形成，如图3所示，同时非晶硅在激光激励下在界面处诱导形成偶极子表面源，紫色为非晶硅。

研究人员利用飞秒激光脉冲模式逐点辐射加工光刻创建的均匀金-硅纳米天线，(a) 金外形改变；(b) 和(c) 加工前后的扫描电镜图；(d) 加工前后的硅结构拉曼光谱，信号对激发功率的依赖关系变为非二次，在偶极近似下，EFISH效应无法实现。

当强度超过7GW/cm2时，可通过一些光学过程。

粉色为多晶硅；(e) 加工阵列 （2）利用电场诱导二次谐波产生（EFISH）探测电场 在中心对称材料中，然而。

在低脉冲强度下，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息： 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，SHG信号的主要贡献来自硅表面的缺陷，EFISH效应占主导，总结了在单个纳米天线内实现光生静电场的原理：首先， 在纳米光子学中，通过飞秒激光激励产生的载流子在金属-半导体界面上生成了静电场，请与我们接洽，这项发现为基于电光操纵的亚波长元件的光学存储、可编程逻辑和神经形态等设备的创造铺平了道路，