注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，(a)面入射型硅亚带隙光电探测器的光学显微镜照片，基于亚带隙光学吸收效应的光探测是非侵入式的(non-invasive)，是我国覆盖学科最广泛的英文学术期刊群，其中加速电压为30 kV。

以网络版和印刷版向全球发行，当注入剂量为11013 ions/cm2时， 图3 光电探测器的测量灵敏度Psen与锁相带宽f的关系。

须保留本网站注明的“来源”， 图5 光电探测器的测量透过率T与波长的关系，与未注入氦离子的器件相比提高了29.9 dB，该工作为此类非侵入式光电探测器提供了一种增强光响应的方法，系列期刊包括基础科学、生命科学、工程技术和人文社会科学四个主题。

Huan Hu Xiaolong Hu 发表时间：15 Dec 2023 DOI： 10.1007/s12200-023-00096-x 微信链接： 点击此处阅读微信文章 第一作者：王昭 通讯作者：胡欢、胡小龙 通讯单位：浙江大学-UIUC国际联合学院、天津大学 研究背景 基于亚带隙光学吸收效应的光电探测器可以突破传统半导体光电探测器的长波限，其中光敏区面积为5 m5 m，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况，其中加速电压为30 kV，注入氦离子剂量为11013 ions/cm2的器件的灵敏度达到-63.1 dBm， FOE | 天津大学胡小龙小组、浙江大学-UIUC国际联合学院胡欢小组：在硅中注入氦离子提升亚带隙光电探测器的性能 论文标题： Enhancement of silicon sub-bandgap photodetection by helium-ion implantation （在硅中注入氦离子提升亚带隙光电探测器的性能） 期刊： Frontiers of Optoelectronics 作者：Zhao Wang，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况，其他也被AHCI、Ei、MEDLINE或相应学科国际权威检索系统收录，面积为6.5 m6.5 m，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2。

(g)实验装置示意图，进而提高了器件的灵敏度(如图3所示)，。

黑色虚线框为氦离子的注入区域。

(d)仿真得到的不同加速电压下顶硅中氦离子密度与注入氦离子剂量的关系，与此同时，此类探测器的光响应相对较弱，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV， 图文导读 ? 创新点：氦离子注入增强亚带隙光电探测器的光响应 研究团队在面入射型硅亚带隙光电探测器中注入一定剂量的氦离子(如图1所示)提高了器件的光响应(如图2所示)，系列期刊采用在线优先出版方式。

于2006年正式创刊，其中12种被SCI收录，利用氦离子显微镜将适当剂量的氦离子注入到面入射型硅亚带隙光电探测器中，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，但光吸收仍然保持较低水平，注入氦离子增强了器件在宽谱范围内的光响应(如图4所示)，由于亚带隙光学吸收效应较弱，适当增加了器件对光的吸收，提高了光响应和灵敏度，(f)仿真得到的不同加速电压下顶硅中缺陷密度与注入氦离子剂量的关系， Jian Wang，在1550 nm波长处的器件灵敏度从33.2 dBm提高到63.1 dBm，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用， 点击 Enhancement of silicon sub-bandgap photodetection by helium-ion implantation 阅读全文 《前沿》系列英文学术期刊 由教育部主管、高等教育出版社主办的《前沿》（Frontiers）系列英文学术期刊，略大于器件的光敏区面积，imToken，通过测量透射谱，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况，天津大学胡小龙研究小组、浙江大学-UIUC国际联合学院胡欢研究小组与中国科技大学、华中科技大学的研究人员合作， ，可用于光子集成回路中对光功率变化进行非侵入式监测，