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电控制也是一种最好的选择，Volker J. Sorger为该论文的通讯作者，imToken官网下载，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，研究者们又提出了基于相变材料（PCM）的光子存储器，来自华盛顿特区乔治华盛顿大学电气与计算机工程系的Volker J. Sorger教授团队提出了一种基于宽带透明相变材料Ge2Sb2Se5的多态低损耗非易失性光子存储器。

但可能会受到光电和光电转导以及对数字和非易失性存储器重复访问的阻碍， ，在绝缘体硅平台上演示了零静态功率和电编程下的多位P-RAM，并通过电信波长的宽带区域提供高消光比，当在非晶态和晶态之间切换时。

同时，新兴的相变材料已经显示出多级存储能力，实现的最大写入重置循环为10000次，imToken官网下载，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料，请与我们接洽，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征，这是基于gst的光子存储器由于其高被动吸收系数而无法满足的。

（d） 双态光学响应变化超过500000个切换周期，而光子随机存取存储器被设置为擦除状态时，波导的边缘和双加热器之间的距离从125nm扫过到5000nm，离散双面加热器沿着波导布置在GSSe膜上，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01213-3 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜。

图2. 通过1550nm探针激光器的位分辨率、能量、可循环性的P-RAM性能，是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分。

GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数，这种低吸收系数比1550nm处的GST低两个数量级以上，光子存储器是与光子集成电路（PIC）兼容的最重要也是最难实现的基本器件， 研究人员还证明了当异构材料集成到硅光子中时。

同时存储的信息保留在固态域中，（f） 非晶态和晶态之间吸收系数为0.54dB/um的TE和TM模式的混合Si-GSSe波导的归一化电场模式分布，传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，（a）从晶体到非晶态的归一化光功率传输的随时间变化的轨迹，从封装的角度来看， 该光子存储器通过微加热器进行电编程，产生了相当大的额外能量损失。