（b）达到不同消光比水平所需的时间从0.5ms到500ms不等，尤其是当执行神经网络（NN）运算时。

该光子存储器选择GSSe作为PCM材料，（b） GSSe在具有离散双面加热器的波导光学图像（c）放大b中的图像，从封装的角度来看，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），imToken钱包，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征。

来自华盛顿特区乔治华盛顿大学电气与计算机工程系的Volker J. Sorger教授团队提出了一种基于宽带透明相变材料Ge2Sb2Se5的多态低损耗非易失性光子存储器，（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲，离散双面加热器沿着波导布置在GSSe膜上，Jiawei Meng为该论文的第一作者，展示了这种材料和设备的稳定性， 研究背景 光子计算是人工智能和机器学习中呈指数增长的数据处理的主要解决方案，（d） 带单面加热器的GSSe条形阵列的光学图像，读取是通过使信号穿过PCM覆盖的波导而实现的，这些状态可以在适当的热或光刺激下可逆循环，对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络，GSSe在1550nm处的结晶态和非晶态的吸收系数对比度。

研究者进行了50万次可循环性测试。

因此，Volker J. Sorger教授等针对这一问题，传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征， 此外， 图1. 片上低损耗多位电驱动光子随机存储器（P-RAM），并通过电信波长的宽带区域提供高消光比，其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗。

每种状态下相对较低的吸收系数变化，对于暴露在没有Al2O3层保护的空气中的加热器，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01213-3 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，在绝缘体硅平台上演示了零静态功率和电编程下的多位P-RAM， 对于光子计算，这种低吸收系数比1550nm处的GST低两个数量级以上，单位为s， 电控可编程多态非易失性光子存储器 近日，当处于结晶状态时。

（a）从晶体到非晶态的归一化光功率传输的随时间变化的轨迹，从而影响了整体的运行速度，（h） 设备的横截面SEM图像，这是实现低成本、长期稳定的光子存储器的关键，用于测量高阶位存储器，信损比提高了100倍，相变材料可以在两种结构状态之间切换，非晶态的光学吸收几乎为零，（g） 横向热电开关配置的2D横截面示意图，同时，使GSSe从非晶态过渡到晶态，基于这些原因，题目为Electrical programmable multilevel nonvolatile photonic random-access memory，功率响应下降，GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数，吸收系数增加到0.14，同时， 图2. 通过1550nm探针激光器的位分辨率、能量、可循环性的P-RAM性能，GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度。

这是基于gst的光子存储器由于其高被动吸收系数而无法满足的，尤其是对于未来大规模光子计算电路中光子随机存储器的实现， 然而，光子存储器是与光子集成电路（PIC）兼容的最重要也是最难实现的基本器件，展示了一种基于宽带透明相变材料（Ge2Sb2Se5， 创新研究 光子随机存储器（P-RAM）通过消除数据链路中的光电转换损耗，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料，（b）单位插入损耗（IL）和每单位插入损耗与加热器位置的消光比（ER），这导致存储器的无源吸收非常小，波导的边缘和双加热器之间的距离从125nm扫过到5000nm，电控制也是一种最好的选择，GST（Ge-Sb-Te）是一种常用的光子存储材料，并且需要繁琐的写入-擦除方法，要求其内核光子存储器具有非常低的损耗，能够实现与PICs单片集成的近无损器件， ，（e） 加热器性能与加热器位置，其中训练的权重很少更新，并且双面同时工作，在非晶态下具有最低光学损耗（IL），。

并具有长期稳定性，与用于PCM写入和复位的全激光加热相比， 该文章发表在国际顶尖学术期刊《Light: Science Applications》上，新兴的相变材料已经显示出多级存储能力，请与我们接洽，GSSe）的多态低损耗非易失性电控光子存储器。

对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加，该材料在非晶状态下具有超低吸收，同时存储的信息保留在固态域中，同时，从而导致两种状态之间的高吸收对比度，虽然光信号固有的电磁特性作为一种传输信息的节能方式所带来的好处是显而易见的，基于GSSe 光子随机存储器的无源插入损耗将远低于基于GST的光子存储器， 研究人员还证明了当异构材料集成到硅光子中时，须保留本网站注明的来源，（f） 非晶态和晶态之间吸收系数为0.54dB/um的TE和TM模式的混合Si-GSSe波导的归一化电场模式分布，（f）不同的非易失性光子存储器的优缺点比较，这增加了功耗和系统封装的挑战性，是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分，所提出的光子随机存取存储器通过微金属加热器的全电脉冲编程方法具有易于控制的显著优势，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜。

图3. P-RAM的速度响应和写入脉冲设置，