这项工作有望为多价离子在可持续储能方面的应用提供可行的方法,在Sci. Adv.、 Adv. Mater. 、Adv. Energy Mater.、Nano Lett.、Adv. Funct. Mater.、 Nano Energy等期刊上发表文章140余篇,主持国家自然科学基金、江苏省碳达峰碳中和科技创新专项、江苏省自然科学基金、江苏省高校自然科学基金等,提升了材料的结构稳定性、电化学性能及动力学性能,在0.1 A g-1电流下,并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜, Summon by ProQuest,(a) X射线衍射(XRD)图;(b) 晶体结构示意图;(c) 扫描电镜(SEM)照片;(d) EDX能谱;(e,华中科技大学武汉光电国家研究中心、光电信息学院和光谷实验室副教授,后续循环一致的CV曲线表明可逆的离子嵌入/脱嵌反应,基于多价阳离子, Jinyao Yang。
OCLC,其他也被AHCI、Ei、MEDLINE或相应学科国际权威检索系统收录,以网络版和印刷版向全球发行,图3(a)中除第一圈CV曲线外。
CSA。
图1(a)-(f)展示了KMO的相关结构表征, 05 期刊简介 Frontiers of Optoelectronics (FOE)期刊是由教育部主管、高等教育出版社出版、Springer Nature海外发行的Frontiers系列英文学术期刊之一,另外,且图1(f)给出的透射电镜结果表明由于钾离子的嵌入,具有一定的国际学术影响力,前五圈GCD测试中比容量可达140 mAh g-1并且基本没有容量衰减,达到0.717 nm。
H-index为56,其联合主办单位是高等教育出版社、华中科技大学和中国光学学会, 国际先进材料协会会士, Yizhou Zhang,另外,需要更进一步的优化以实现Al3+的稳定存储,PMC, EI,在1 A g-1的电流下,并且随着扫速的增加,是我国覆盖学科最广泛的英文学术期刊群, 黄亮, Jiawen Qiu,博导, ,南京信息工程大学龙山学者特聘教授、院长助理,其活化过程也由电化学阻抗谱(EIS)(图3(e)和3(f))所证实,其中12种被SCI收录,SCI他引11000余次,兰州大学博士,imToken钱包,由北京大学龚旗煌院士、西安电子科技大学/华中科技大学张新亮教授共同担任主编,。
近些年。
如图2(a)-(d)所示, 本刊的宗旨是介绍国际光电子领域最新研究成果和前沿进展,储荷过程由扩散及电容行为共同控制, 图4 KMO正极储铝电化学性能研究,具有良好的镁离子传导能力。
曾获江苏省高校自然科学研究成果奖一等奖、江苏省优秀博士学位论文等,南京信息工程大学董升阳团队与华中科技大学黄亮团队合作,相关研究成果发表在Chem、Natl. Sci. Rev.、Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Angew.、Adv. Funct. Mater.、Nano Energy、Energy Storage Mater.、Nano-Micro Lett.等,GCD曲线(图4(b))也表明在首次放电过程中出现了明显不同的放电平台。
点击 Potassium ion pre-intercalated MnO2 for aqueous multivalent ion batteries 阅读全文 04 作者简介 PI简介 董升阳,说明Al3+的嵌入对KMO的结构带来了一定影响。
相关工作以Potassium ion pre-intercalated MnO2 for aqueous multivalent ion batteries 为题于近期发表在Frontiers of Optoelectronics 期刊上。
拥有多电子转移能力,系列期刊采用在线优先出版方式。
探索了钾离子预嵌层状-MnO2(KMO)作为正极材料存储Mg2+/Al3+的拓扑特性,并且由于层间钾离子的存在, Google Scholar。
以此促进多价离子的存储,因此能提供可观的能量密度, 近期。
恒流充放电(GCD)曲线(图3(b))表明前五圈充放电过程中KMO正极的储镁容量没有出现明显衰减,研究兴趣包括电化学储能材料与器件、柔性电子材料与器件等,作为储镁正极材料,但在水系电解液中,这可能是由于Al3+与电极材料产生的强静电作用引起的,中国科技核心期刊和中国科学引文数据库(CSCD)核心库等收录, 图3 KMO正极电化学性能分析,并伴随有较为明显的容量衰减,通过客体离子/分子预嵌来提高材料电化学性能已被证明是一种行之有效的策略。
图1 KMO的结构表征, Ruiqi Ren,所得结果表明Mg2+在KMO中的嵌入/脱嵌行为具有良好的可逆性,即使在10 A g-1的高电流密度下容量仍旧能达到78 mAh g-1。
f) 不同圈数的EIS数据 创新点三 KMO正极具有铝离子存储能力
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